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GA03JT12-247

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Numero di parte GA03JT12-247
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 7.620 piece(s)
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Specifiche GA03JT12-247

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc) (95°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs460 mOhm @ 3A
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AB
Pacchetto / casoTO-247-3

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Packing
Insepction

GA03JT12-247 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA03JT12-247 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA03JT12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA03JT12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA03JT12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA03JT12-247?
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281
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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

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0
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D# GS0000000000001

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Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor1200V470m? TO-247-3

0
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D# NS-GA03JT12-247

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OEM/CM ONLY

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