| Numero di parte | GA100JT12-227 |
|---|---|
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Descrizione | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-227-4, miniBLOC |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.432 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-227-4, miniBLOC |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA100JT12-227 D# V36:1790_06738653 |
GeneSic Semiconductor Inc |
TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA100JT12-227 D# 1242-1317-ND |
GeneSic Semiconductor Inc |
TRANS SJT 1200V 160A SOT227 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA100JT12-227 |
GeneSic Semiconductor Inc |
Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V10m? SOT-227 RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA100JT12-227 D# GS0000000001930 |
GeneSic Semiconductor Inc |
Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V10m? SOT-227 |
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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