| Numero di parte | GA10SICP12-263 |
|---|---|
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Descrizione | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| ECAD |
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| A magazzino | 8.640 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
| Pacchetto / caso | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA10SICP12-263 D# 1242-1318-ND |
GeneSic Semiconductor Inc |
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA10SICP12-263 |
GeneSic Semiconductor Inc |
RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA10SICP12-263 |
GeneSic Semiconductor Inc |
Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V100m? TO-263-7 RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA10SICP12-263 D# GS0000000001933 |
GeneSic Semiconductor Inc |
Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V100m? TO-263-7 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
GA10SICP12-263 |
GeneSic Semiconductor Inc |
RoHS: Compliant
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86-755-83210559-841
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