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GA20JT12-247

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Numero di parte GA20JT12-247
Produttore GeneSiC Semiconductor
Descrizione TRANS SJT 1.2KV 20A
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche GA20JT12-247

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FET-
TecnologiaSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 20A
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AB
Pacchetto / casoTO-247-3

GA20JT12-247 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

GA20JT12-247 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that GA20JT12-247 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the GA20JT12-247. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including GA20JT12-247 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of GA20JT12-247 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the GA20JT12-247 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of GA20JT12-247?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-263

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1.2KV 20A

0

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GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1.2KV 20A

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-263

D# 1242-1189-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1200V 45A D2PAK

134

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D# 1242-1188-ND

GeneSic Semiconductor Inc

TRANS SJT 1200V 20A TO247AB

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-263

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

RoHS: Compliant
0

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GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m?TO-247-3

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-247

D# GS0000000000007

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m?TO-247-3

0

GA20JT12-263

D# GS0000000000008

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-247

D# 08X5872

GeneSic Semiconductor Inc

SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 20A, TO-247AB, MOSFET Configuration:Single, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:20A, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, On Resistance Rds(on):-, No. of Pins:3Pins, Product Range:- RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 510
Container: Bulk
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

GA20JT12-263

GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant
0

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GeneSic Semiconductor Inc

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0

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