Name: GA20SICP12-247
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA20SICP12-247
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

GA20SICP12-247

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Numero di parte	GA20SICP12-247
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Descrizione	TRANS SJT 1200V 45A TO247
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	3.184 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche GA20SICP12-247

Produttore	GeneSiC Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3091pF @ 800V
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	282W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 20A
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AB
Pacchetto / caso	TO-247-3

GA20SICP12-247 Packaging

GA20SICP12-247 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that GA20SICP12-247 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the GA20SICP12-247 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the GA20SICP12-247 we delivered, we will accept the replacement or return of the GA20SICP12-247 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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GeneSic Semiconductor Inc

SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

Numero di parte

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D# 1242-1194-ND

GeneSic Semiconductor Inc

SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV

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GENESIC SEMICONDUCTOR

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

104

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GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant

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GA20SICP12-263

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

RoHS: Compliant

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GA20SICP12-263

D# GS0000000000038

GeneSic Semiconductor Inc

Silicon Carbide (SiC) Junction Transistor 1200V50m? TO-263-7

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

GA20SICP12-263

D# 08X5874

GeneSic Semiconductor Inc

SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Continuous Drain Current Id:20A, Power Dissipation Pd:157W, Operating Frequency Min:-, Operating Frequency Max:-, RF Transistor Case:TO-263 (D2PAK), No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 250

Container: Bulk

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GA20SICP12-263

GeneSic Semiconductor Inc

RoHS: Compliant

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GeneSic Semiconductor Inc

OEM/CM ONLY

185

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