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HAT2197R-EL-E

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HAT2197R-EL-E

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Numero di parte HAT2197R-EL-E
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Scheda dati

HAT2197R-EL-E Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche HAT2197R-EL-E

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2650pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica HAT2197R-EL-E

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that HAT2197R-EL-E is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HAT2197R-EL-E price and inventory displayed accurate?
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