| Numero di parte | HS54095TZ-E |
|---|---|
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.464 piece(s) |
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| Produttore | Renesas Electronics America |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 66pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HS54095TZ-E |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET N-CH 600V 200mA TO-92 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HS54095TZ-E D# HS54095TZ-E-ND |
Renesas Electronics Corporation |
MOSFET N-CH 600V 200MA TO92-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HS54095TZ-E |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
5260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
HS54095TZ-E D# NS-HS54095TZ-E |
Renesas Electronics Corporation |
OEM/CM ONLY |
9549 |
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