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HUFA75337S3ST

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HUFA75337S3ST

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Numero di parte HUFA75337S3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Scheda dati

HUFA75337S3ST Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HUFA75337S3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1775pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica HUFA75337S3ST

HUFA75337S3ST Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that HUFA75337S3ST is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the HUFA75337S3ST price and inventory displayed accurate?
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D# HUFA75337S3ST

ON Semiconductor

TAPE AND REEL HUF75337S3S - Bulk (Alt: HUFA75337S3ST)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

10860
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-HUFA75337S3ST-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

10860
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VBsemi Electronics Co Ltd

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Fairchild Semiconductor Corporation

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770
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Fairchild Semiconductor Corporation

OEM/CM ONLY

6926
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Fairchild Semiconductor Corporation

75A, 55V, 0.014ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
10860
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Fairchild Semiconductor Corporation

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