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HUFA76409D3ST

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HUFA76409D3ST

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Numero di parte HUFA76409D3ST
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Scheda dati

HUFA76409D3ST Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA76409D3ST

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, UltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds485pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs63 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA76409D3ST

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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Bulk (Alt: HUFA76409D3ST)

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MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level

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18 A, 60 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

5860
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Fairchild Semiconductor Corporation

N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 17A, 71mOhm

RoHS: Compliant
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