Name: HUFA76419S3ST
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUFA76419S3ST
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

HUFA76419S3ST

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Numero di parte	HUFA76419S3ST
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Scheda dati	HUFA76419S3ST Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche HUFA76419S3ST

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	UltraFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 29A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica HUFA76419S3ST

HUFA76419S3ST Packaging

HUFA76419S3ST FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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ON Semiconductor

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 29 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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D# 2156-HUFA76419S3ST-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

700

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Rochester Electronics LLC

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Fairchild Semiconductor Corporation

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Fairchild Semiconductor Corporation

29A, 60V, 0.04ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-263AB

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