Name: HUFA76609D3ST_F085
Brand: Fairchild/ON Semiconductor
SKU: HUFA76609D3ST_F085
Availability: InStock
Rating: 5 (164 reviews)

HUFA76609D3ST_F085

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Numero di parte	HUFA76609D3ST_F085
Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Scheda dati	HUFA76609D3ST_F085 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA76609D3ST_F085

Produttore	Fairchild/ON Semiconductor
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	49W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA76609D3ST_F085

HUFA76609D3ST_F085 Packaging

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Fairchild Semiconductor Corporation

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA

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