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HUFA76619D3S

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HUFA76619D3S

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Numero di parte HUFA76619D3S
Produttore Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Scheda dati

HUFA76619D3S Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche HUFA76619D3S

ProduttoreFairchild/ON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieUltraFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds767pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252AA
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica HUFA76619D3S

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Packing
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PWR MOS 100V/18A/0.087 OHM N-CH LOGIC LVL TO-252AA T&R - Bulk (Alt: HUFA76619D3ST)

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0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 18 A, 100 V, 0.089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

1688

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Fairchild Semiconductor Corporation

N/A 18 A, 100 V, 0.089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

1688
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# HUFA76619D3S-ND

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA

0

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Rochester Electronics LLC

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Fairchild Semiconductor Corporation

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Fairchild Semiconductor Corporation

18A, 100V, 0.089ohm, N-Channel Power MOSFET, TO-252AA

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