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| Numero di parte | IGA03N120H2XKSA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | IGBT 1200V 3A 29W TO220-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.440 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | feb 16 - feb 21 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Singoli |
| pacchetto | TO-220-3 Full Pack |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Potenza - Max | 29W |
| Cambiare energia | 290µJ |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 8.6nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
| Condizione di test | 800V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
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SIT8209AI-GF-25S-200.000000X | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 10PPM, 2.5V, 2, -, - | Visualizza |
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MKT1818422016W | Vishay BC Components, CAP FILM 0.22UF 20% 100VDC RAD, Radial, - | Visualizza |
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B32529C6103J289 | EPCOS (TDK), CAP FILM 10000PF 5% 400VDC RAD, Radial, - | Visualizza |
 
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S2BA-13-F | Diodes Incorporated, DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMA, DO-214AC, SMA, - | Visualizza |
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7132LA35J8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC SRAM 16KBIT 35NS 52PLCC, 52-LCC (J-Lead), - | Visualizza |
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KO119A7318 | E-Switch, SWITCH KEYLOCK 2POS SPST 4A 125V, -, - | Visualizza |
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CSRN2512FKR360 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 0.36 OHM 1% 2W 2512, 2512 (6432 Metric), - | Visualizza |
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CRCW2512127RFKTG | Vishay Dale, RES SMD 127 OHM 1% 1W 2512, 2512 (6432 Metric), - | Visualizza |
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AT0603DRD073K74L | Yageo, RES SMD 3.74KOHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), - | Visualizza |
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S21ME8FY | Sharp Microelectronics, OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 6DIP, 6-DIP (0.300", 7.62mm), 5 Leads, - | Visualizza |
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ESQT-121-02-G-D-740 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | Visualizza |
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ABC20DKNS-S1191 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 40POS 0.100, -, - | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XKSA1 D# V36:1790_06383233 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3A 29000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XK D# IGA03N120H2XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Rail/Tube (Alt: IGA03N120H2XKSA1) |
0 |
IGA03N120H2XKSA1 D# IGA03N120H2XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT Chip N-Channel 1200V 8.2A 3-Pin TO-220 - Bulk (Alt: IGA03N120H2XKSA1) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XKSA1 D# 2156-IGA03N120H2XKSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
464 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XKSA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
538 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2 D# 726-IGA03N120H2 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors HIGH SPEED TECH 1200V 3A RoHS: Compliant
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440 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IGA03N120H2XKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IGA03N120 - Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode RoHS: Compliant
|
464 |
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+86-755-83210559 ext. 803
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