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Numero di parte | IKW50N65F5FKSA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-247-3 |
ECAD | |
A magazzino | 9.084 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# V99:2348_06378386 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IKW50N65F5FKSA1) RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# SP000973420 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SP000973420) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
475 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# C1S322000437896 |
Infineon Technologies AG |
IGBT discrete RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Tube
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161 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# IKW50N65F5FKSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
7 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IKW50N65F5 Series 650 V 80 A 305 W Through Hole DuoPack IGBT - PG-TO-247-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2243 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# 726-IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS RoHS: Compliant
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1543 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# 33X0415 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 305W, TO-247, DC Collector Current:80A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V, Power Dissipation Pd:305W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, No. of Pins:3Pins, MSL:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG | 960 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# 1109112P |
Infineon Technologies AG |
Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole, TU Min Qty: 4
Container: Tube
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46 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1216 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
14999 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IKW50N65F5FKSA1 D# 43707399 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube RoHS: Compliant
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0 |
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IC LATCH 8BIT ADDRESS 16-SOIC
TERM BLOCK HDR 12POS VERT 5.08MM
IC DAC 16BIT SPI 20TSSOP
DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD323