Name: IPB017N06N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB017N06N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (95 reviews)

IPB017N06N3 G

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Numero di parte	IPB017N06N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Scheda dati	IPB017N06N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche IPB017N06N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	275nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica IPB017N06N3 G

IPB017N06N3 G Packaging

IPB017N06N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB017N06N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB017N06N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB017N06N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB017N06N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB017N06N3 G price and inventory displayed accurate?

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4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB017N06N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB017N06N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB017N06N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IPB017N06N3GATMA1

D# V36:1790_06376932

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

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IPB017N06N3GATMA1

D# IPB017N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB017N06N3GATMA1)

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

Numero di parte

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 180A, 60V, PG-TO263-7

1036

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IPB017N06N3GATMA1

D# IPB017N06N3GATMA1CT-ND

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MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

3624

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IPB017N06N3GATMA1

D# 1775519

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MOSFET, N CH, 180A, 60V, PG-TO263-7

RoHS: Compliant

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OEM/CM Immediate delivery

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IPB017N06N3GATMA1

D# 726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

Numero di parte

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Azione

IPB017N06N3 G

D# NS-IPB017N06N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4096

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IPB017N06N3G

Infineon Technologies AG

180 A, 60 V, 0.0017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263

Numero di parte

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IPB017N06N3GATMA1

D# 7545412

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB017N06N3GATMA1, EA

Min Qty: 1

Container: Bulk

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IPB017N06N3GATMA1

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OEM/CM ONLY

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