Name: IPB019N08N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB019N08N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (129 reviews)

IPB019N08N3 G

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Numero di parte	IPB019N08N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Scheda dati	IPB019N08N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche IPB019N08N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14200pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica IPB019N08N3 G

IPB019N08N3 G Packaging

IPB019N08N3 G FAQ

1. How to order IPB019N08N3 G on Heisener?

Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
2. How does Heisener guarantee that IPB019N08N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB019N08N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB019N08N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB019N08N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB019N08N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB019N08N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB019N08N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB019N08N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB019N08N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB019N08N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# V72:2272_06377108

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GXT

D# IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB019N08N3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# SP000444110

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000444110)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# C1S322000438053

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

512

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# IPB019N08N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

12881

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# 1775520

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

345

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Stock

792

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 80 V 1.9 mOhm 155 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: No

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

8120

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3 G

D# 726-IPB019N08N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1637

IPB019N08N3GATMA1

D# 726-IPB019N08N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

716

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# 60R2644

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 80V, 180A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.0016ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

345

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

808

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# 51440245

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB019N08N3GATMA1

D# 1775520

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 180A, 80V, PG-TO263-7

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

345

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IPB019N08N3 G

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