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IPB027N10N3GATMA1

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IPB027N10N3GATMA1

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Numero di parte IPB027N10N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Scheda dati

IPB027N10N3GATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB027N10N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs206nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14800pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB027N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB027N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB027N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB027N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB027N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB027N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB027N10N3GATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# V72:2272_06377077

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB027N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# SP000506508

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000506508)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# C1S322000194070

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1017
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# IPB027N10N3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

 32
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 206 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 30735
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# 726-IPB027N10N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 798

IPB027N10N3 G

D# 726-IPB027N10N3G

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 1335
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0054873

 Infineon Technologies AG

9000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# 85X6013

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0

IPB027N10N3GATMA1.

D# 27AC6718

 Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# 8259235P

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
 936
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 26512
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

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 39
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IPB027N10N3GATMA1

D# 44558404

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB027N10N3GATMA1

D# 2443379

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-263-3

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Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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