Name: IPB029N06N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB029N06N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (174 reviews)

IPB029N06N3 G

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Numero di parte	IPB029N06N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Scheda dati	IPB029N06N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB029N06N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 118µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	165nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB029N06N3 G

IPB029N06N3 G Packaging

IPB029N06N3 G FAQ

1. How to order IPB029N06N3 G on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IPB029N06N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB029N06N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB029N06N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB029N06N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB029N06N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB029N06N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB029N06N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPB029N06N3 G pin diagram, IPB029N06N3 G datasheet?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# V72:2272_06383202

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# C1S322000241484

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

492

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# IPB029N06N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# 2617425

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

386

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 2.9 mOhm 124 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17400

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# 97Y1820

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:120A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

180

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# 9140185

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB029N06N3GATMA1, PK

Min Qty: 10

Container: Package

1710

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

481

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# 43696534

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB029N06N3GATMA1

D# 2617425

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

370

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