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IPB034N06N3GATMA1

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Numero di parte IPB034N06N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Scheda dati

IPB034N06N3GATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
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Specifiche IPB034N06N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11000pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-7
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Scheda tecnica IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB034N06N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB034N06N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB034N06N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB034N06N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB034N06N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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D# IPB034N06N3GATMA1TR-ND

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