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IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

IPB042N10N3 G

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Numero di parte IPB042N10N3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Scheda dati

IPB042N10N3 G Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB042N10N3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8410pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB042N10N3 G

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Packing
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IPB042N10N3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB042N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB042N10N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB042N10N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB042N10N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB042N10N3 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB042N10N3 G?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# V36:1790_06378068

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

0

IPB042N10N3GATMA1

D# V72:2272_06378065

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GE8187ATMA1)

RoHS: Compliant
0

IPB042N10N3GXT

D# IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB042N10N3GATMA1)

0

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 47Y8047)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# SP000446880

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
0

IPB042N10N3GATMA1

D# SP000446880

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000446880)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

2000

IPB042N10N3 G E8187

Infineon Technologies AG

N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

0

IPB042N10N3GE818XT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 137A 3.5V @ 150uA 4.2mohms @ 100A,10V 214W TO-263-2 MOSFET RoHS

1464

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

PG-TO-263-3 MOSFET RoHS

4391
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2020

1000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# IPB042N10N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

0

IPB042N10N3GE8187ATMA1

D# IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

5060

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

48525

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

In stock shipping within 2days

150
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
289
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

92800

IPB042N10N3GATMA1

TO263-3

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

29464
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# C153801

Infineon Technologies AG

4391
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

88720

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# XSKDRABV0055491

Infineon Technologies AG

4000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 47Y8047

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0036ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G E8187

D# NS-IPB042N10N3 G E8187

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

1412

IPB042N10N3 G

D# NS-IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4763
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 100A I(D), 100V, 0.0042OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

807
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 8275237P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB042N10N3GATMA1, RL

Min Qty: 10
Container: Reel
320
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# TMOSP9680

Infineon Technologies AG

N-CH 100V 100A 4mOhm TO263-3

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

9016

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

17825
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

IPB042N10N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

IPB042N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

88705
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

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54
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3 G

D# 39812048

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

RFQ

7348
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOS?3 Power-Transistor

12547
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB042N10N3GATMA1

D# 2443431

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0

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