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| Numero di parte | IPB048N15N5ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MV POWER MOS |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.608 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 20 - nov 25 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
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| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
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SIT9120AC-2DF-XXE125.000000T | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 10PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, * | Visualizza |
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SIT1602BI-11-28N-28.636300G | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 20PPM, 2.8V, 2, -, * | Visualizza |
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CKG45KX7R2A105M290JH | TDK Corporation, CAP CER 1UF 100V X7R SMD, Nonstandard SMD, * | Visualizza |
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JAN1N4978D | Microsemi Corporation, DIODE ZENER 68V 5W AXIAL, E, Axial, * | Visualizza |
 
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MV209RLRA | ON Semiconductor, DIODE TUNING EPICAP 30V TO-92, TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads), * | Visualizza |
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5SGSMD3H3F35C2LN | Altera, IC FPGA 432 I/O 1152FBGA, 1152-BBGA, FCBGA, * | Visualizza |
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AT635C | NKK Switches, LED 1 ELEMNT RED T-1 1/2 BIPIN, -, * | Visualizza |
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RG2012V-4990-C-T5 | Susumu, RES SMD 499 OHM 0.25% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), * | Visualizza |
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B62110A1001X001 | EPCOS (TDK), FERRITE CORES, -, * | Visualizza |
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MS27472T24A35PB | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT 128POS WALL MNT W/PINS, -, * | Visualizza |
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PLB3G620C06 | ITT Cannon, LLC, CIRCULAR, -, * | Visualizza |
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VI-BNF-EW-F2 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W, Full Brick, * | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# V36:1790_16140316 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# SP001279596 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N 150V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001279596) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# IPB048N15N5ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
906 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# 2803387RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 150V, 120A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
578 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# 726-IPB048N15N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET TRENCH >=100V RoHS: Compliant
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690 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# 43AC3263 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 150V, 120A, 175DEG C, 300W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:150V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0037ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3.8V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2263 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB048N15N5ATMA1 D# 2803387 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 150V, 120A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1805 |
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86-755-83210559-841
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