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IPB065N10N3GATMA1

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IPB065N10N3GATMA1

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Numero di parte IPB065N10N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH TO263-3
Scheda dati

IPB065N10N3GATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB065N10N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4910pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB065N10N3GATMA1 FAQ

  • 1. How to order IPB065N10N3GATMA1 on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB065N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB065N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB065N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB065N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB065N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB065N10N3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB065N10N3GATMA1?
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D# V72:2272_06383349

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

 0
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 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB065N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP001232588

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001232588)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB065N10N3GATMA1

D# 2156-IPB065N10N3GATMA1-ND

 Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

 90
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB065N10N3GATMA1

D# 726-IPB065N10N3GA

 Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH >=100V

RoHS: Compliant
 462
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB065N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

IPB065N10 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
 90
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB065N10N3GATMA1

D# 46214525

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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