Name: IPB080N03L G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB080N03L-G
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

IPB080N03L G

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Numero di parte	IPB080N03L G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Scheda dati	IPB080N03L G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB080N03L G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB080N03L G

IPB080N03L G Packaging

IPB080N03L G FAQ

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Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
2. How does Heisener guarantee that IPB080N03L G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB080N03L G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB080N03L G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB080N03L G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB080N03L G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB080N03L G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPB080N03L G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB080N03L G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB080N03L G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Produttore

Descrizione

Azione

IPB080N03LGATMA1

D# IPB080N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB080N03LGATMA1)

Numero di parte

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IPB080N03LGATMA1

D# 2156-IPB080N03LGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM,

16323

Numero di parte

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Descrizione

Azione

IPB080N03LGATMA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2695

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB080N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

IPB080N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

16323

Numero di parte

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IPB080N03LGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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