Name: IPB107N20N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB107N20N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (154 reviews)

IPB107N20N3 G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IPB107N20N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Scheda dati	IPB107N20N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
A magazzino	390.000 piece(s)
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Specifiche IPB107N20N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	88A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7100pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.7 mOhm @ 88A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB107N20N3 G

IPB107N20N3 G Packaging

IPB107N20N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB107N20N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB107N20N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB107N20N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB107N20N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB107N20N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB107N20N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# V72:2272_06377982

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 79X1432

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1432)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# SP000676406

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000676406)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

858

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# C1S322000438141

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1790

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

N-Channel 200V 88A(Tc) 4V @ 270uA 10.7mohms @ 88A,10V 300W(Tc) TO-263-3 MOSFET RoHS

1978

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

RoHS (ship within 1day) - D/C 2019

685

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# IPB107N20N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

2981

Numero di parte	Produttore	Descrizione	Azione
IPB107N20N3GATMA1	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	220
IPB107N20N3G	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	8260
IPB107N20N3 G	Infineon Technologies AG	In stock shipping within 2days	5260

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 2432725RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

63800

IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

69600

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

D# C444895

Infineon Technologies AG

1973

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

8000

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

100000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 726-IPB107N20N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1636

IPB107N20N3 G

D# 726-IPB107N20N3GXT

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

2177

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 79X1432

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO-263- 3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:88A, On Resistance Rds(on):0.0096ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

121

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

D# NS-IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

4049

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 88A I(D), 200V, 0.0107OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

548

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 7545434

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB107N20N3GATMA1, EA

Min Qty: 1

Container: Bulk

137

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3 G

D# TMOSP10062

Infineon Technologies AG

MOSFET 200V 11mOhm 88A TO263

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

166

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

53346

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

8015

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

99985

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

shipping today

8990

IPB107N20N3 G

Infineon Technologies AG

shipping today

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 53521580

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB107N20N3G

D# 36532005

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3G

Infineon Technologies AG

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

16002

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB107N20N3GATMA1

D# 2432725RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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IPB107N20N3 G

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