Name: IPB108N15N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB108N15N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

IPB108N15N3 G

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Numero di parte	IPB108N15N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Scheda dati	IPB108N15N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB108N15N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	83A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3230pF @ 75V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 83A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB108N15N3 G

IPB108N15N3 G Packaging

IPB108N15N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB108N15N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB108N15N3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB108N15N3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB108N15N3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the IPB108N15N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB108N15N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB108N15N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB108N15N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB108N15N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB108N15N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# V36:1790_06378661

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GXT

D# IPB108N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB108N15N3GATMA1)

RoHS: Compliant

IPB108N15N3GATMA1

D# IPB108N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: IPB108N15N3GATMA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# IPB108N15N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

4650

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# 2443383

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

218

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3 G

Infineon Technologies AG

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 150 V 10.8 mOhm 41 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

1000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2320

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3 G

Infineon Technologies AG

in stock - can ship the same day

100

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3 G

D# 726-IP726-B108N15N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1444

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# XSFP00000209080

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 150 V 10.8 mOhm 41 nC OptiMOS Power Mosfet - D2PAK

2000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# 85X6017

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 83A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:150V, Continuous Drain Current Id:83A, On Resistance Rds(on):0.0091ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IPB108N15 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

360

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

116

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# 45526089

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB108N15N3GATMA1

D# 2443383RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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IPB108N15N3 G

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