Name: IPB123N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB123N10N3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (123 reviews)

IPB123N10N3 G

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	IPB123N10N3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
Scheda dati	IPB123N10N3 G Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB123N10N3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB123N10N3 G

IPB123N10N3 G Packaging

IPB123N10N3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB123N10N3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB123N10N3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB123N10N3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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5. How is the shipping arranged?

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6. What is the process for return or replacement of IPB123N10N3 G?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB123N10N3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB123N10N3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB123N10N3 G.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Descrizione

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IPB123N10N3GATMA1

D# V72:2272_06383732

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

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IPB123N10N3G

D# IPB123N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB123N10N3GATMA1)

RoHS: Compliant

IPB123N10N3GXT

D# IPB123N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB123N10N3GATMA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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IPB123N10N3G

D# SP000485968

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000485968)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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IPB123N10N3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

Numero di parte

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IPB123N10N3GATMA1

D# C1S322000438169

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

1905

Numero di parte

Produttore

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IPB123N10N3GATMA1

D# IPB123N10N3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK

1057

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IPB123N10N3G

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1560

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IPB123N10N3GATMA1

D# 2443384

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 58A, TO-263-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

300

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IPB123N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1491

IPB123N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1740

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IPB123N10N3 G

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63259

IPB123N10N3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

1560

Numero di parte

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Descrizione

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IPB123N10N3 G

D# 726-IPB123N10N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

1422

IPB123N10N3GATMA1

D# 726-IPB123N10N3GATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

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IPB123N10N3GATMA1

D# 85X6018

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 58A, 175DEG C, 94W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:58A, On Resistance Rds(on):0.0107ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

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212

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IPB123N10N3 G

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IPB123N10N3GATMA1

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IPB123N10 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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2185

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IPB123N10N3G

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OEM/CM ONLY

265

IPB123N10N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

767

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63244

IPB123N10N3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

1575

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IPB123N10N3G

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IPB123N10N3GATMA1

D# 43718292

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB123N10N3GATMA1

D# 2443384RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 58A, TO-263-3

RoHS: Compliant

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