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| Numero di parte | IPB180N06S4H1ATMA2 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.696 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | mag 26 - mag 31 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
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| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 21900pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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VI-J3M-IW-F4 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W, Half Brick, Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? | Visualizza |
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EPM2210F324C5N | Intel, IC CPLD 1700MC 7NS 324FBGA, 324-BGA, Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# V72:2272_06378683 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB180N06S4H1ATMA2) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# IPB180N06S4H1ATMA2-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# 2839451RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 60V, 180A, TO263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 60 V 1.7 mOhm 270 nC SMT OptiMOS™ Power-Transistor - PG-TO263-7-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2320 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2. D# 32AC0677 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:180A, On Resistance Rds(on):0.0013ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, MSL:- RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# 49AC0283 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 60V, 180A, TO263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0013ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# 8275182P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK Infineon IPB180N06S4H1ATMA2, RL Min Qty: 10
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
IPB180N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET RoHS: Compliant
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14 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# 27460496 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB180N06S4H1ATMA2 D# 2839451 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 60V, 180A, TO263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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378 |
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86-755-83210559-817
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