* Please refer to the English Version as our Official Version.
Numero di parte | IPB35N10S3L26ATMA1 |
---|---|
Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH TO263-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD |
|
A magazzino | 3.536 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
Tempi di Consegna | Essere confermato |
Tempo di consegna stimato | feb 13 - feb 18 (Scegli una spedizione rapida) |
Richiedi Preventivo |
|
Modalità di pagamento | |
Servizi di consegna |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# E02:0323_02823361 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# IPB35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB35N10S3L26ATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 2781070 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
812 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3480 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 726-IPB35N10S3L26ATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T RoHS: Compliant
|
1183 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 34AC1657 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:35A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0203ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
520 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
937 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 19735355 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB35N10S3L26ATMA1 D# 2781070 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
803 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa IPB35N10S3L26ATMA1?
+86-755-83210559 ext. 809
Scansiona per visualizzare questa pagina