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IPB45N06S3L-13

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IPB45N06S3L-13

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Numero di parte IPB45N06S3L-13
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
Scheda dati

IPB45N06S3L-13 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB45N06S3L-13

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3600pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.1 mOhm @ 26A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB45N06S3L-13

IPB45N06S3L-13 Packaging

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IPB45N06S3L-13 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB45N06S3L-13 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB45N06S3L-13 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 55V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 45A I(D), 55V, 0.0131OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

50
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