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IPB530N15N3GATMA1

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Numero di parte IPB530N15N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Scheda dati

IPB530N15N3GATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB530N15N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds887pF @ 75V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs53 mOhm @ 18A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1 Packaging

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Packing
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IPB530N15N3GATMA1 FAQ

  • 1. How to order IPB530N15N3GATMA1 on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB530N15N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB530N15N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB530N15N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB530N15N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB530N15N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB530N15N3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB530N15N3GATMA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB530N15N3GATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# V36:1790_06384234

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# IPB530N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB530N15N3GATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# SP000521718

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000521718)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# IPB530N15N3GATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

2000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# 2781071

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 21A, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
740
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3 G

D# 726-IPB530N15N3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
691
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# 34AC1658

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 21A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:21A, Drain Source Voltage Vds:150V, On Resistance Rds(on):0.044ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
240
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

IPB530N15 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
64
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

845
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB530N15N3GATMA1

D# 2781071

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 21A, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
740

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