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| Numero di parte | IPB60R180C7ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V TO263-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.216 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 20 - dic 25 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? C7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 5.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Pacchetto / caso | TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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1812J6K00220FCR | Knowles Syfer, CAP CER 22PF 6KV C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), CoolMOS? C7 | Visualizza |
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C1812X473K3JACAUTO | KEMET, CAP CER 1812 47NF 25V U2J 10%, -, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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BZX884-C3V6,315 | Nexperia USA Inc., DIODE ZENER 3.6V 250MW SOD882, SOD-882, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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MIC5247-1.8YML-TR | Microchip Technology, IC REG LINEAR 1.8V 150MA 6MLF, 6-VQFN Exposed Pad, 6-MLF?, CoolMOS? C7 | Visualizza |
 
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CAVC16T245QDGVRQ1 | Texas Instruments, IC BUS XCVR 16BIT 48-TVSOP, 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width), CoolMOS? C7 | Visualizza |
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RWR80SR768FRB12 | Vishay Dale, RES 0.768 OHM 2W 1% WW AXIAL, Axial, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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9T12062A71R5BAHFT | Yageo, RES SMD 71.5 OHM 0.1% 1/8W 1206, 1206 (3216 Metric), CoolMOS? C7 | Visualizza |
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RPC0805FT6M80 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 6.8M OHM 1% 1/4W 0805, 0805 (2012 Metric), CoolMOS? C7 | Visualizza |
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ESQT-105-02-H-D-430 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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DWM-12-54-G-S-293 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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MS3456W22-23S | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG 8POS STRAIGHT W/SCKT, -, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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72930-8 | Pomona Electronics, BANANA JACK PNL MNT GRAY, -, CoolMOS? C7 | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# E02:0323_09406548 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# IPB60R180C7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB60R180C7ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# SP001296224 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001296224) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# IPB60R180C7ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3 |
91 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# 2986358RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 13A, 68W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
957 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# 726-IPB60R180C7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET HIGH POWER_NEW RoHS: Compliant
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1478 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# 93AC7106 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 13A, 68W, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:13A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.155ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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754 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB60R180 - 600V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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1669 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
880 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# 26610895 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB60R180C7ATMA1 D# 2986358 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 13A, 68W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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754 |
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+86-755-83210559 ext. 816
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