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IPB60R190P6ATMA1

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IPB60R190P6ATMA1

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Numero di parte IPB60R190P6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V TO263-3
Scheda dati

IPB60R190P6ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB60R190P6ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieCoolMOS? P6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 630µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1750pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB60R190P6ATMA1

IPB60R190P6ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB60R190P6ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB60R190P6ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB60R190P6ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB60R190P6ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB60R190P6ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB60R190P6ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB60R190P6ATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_09156918

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

D# IPB60R190P6ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB60R190P6ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

D# SP001364462

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001364462)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

D# 2156-IPB60R190P6ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

7456
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

43848
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 726-IPB60R190P6ATMA1

Infineon Technologies AG

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

RoHS: Compliant
707
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

Infineon Technologies AG

600V, 0.19ohm, N-Channel MOSFET, TO-263AB

RoHS: Compliant
7456
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

37816
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

Infineon Technologies AG

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB60R190P6ATMA1

D# 26196097

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0

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