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IPB65R099C6ATMA1

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Numero di parte IPB65R099C6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 650V 38A TO263
Scheda dati

IPB65R099C6ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB65R099C6ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieCoolMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs127nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2780pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 12.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1 Packaging

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IPB65R099C6ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB65R099C6ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB65R099C6ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB65R099C6ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB65R099C6ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB65R099C6ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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D# V36:1790_06377216

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 38A TO263

0
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25213
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MOSFET N-Ch 700V 115A D2PAK-2

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964
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D# NS-IPB65R099C6ATMA1

Infineon Technologies AG

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Infineon Technologies AG

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