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IPB65R190C7ATMA1

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Numero di parte IPB65R190C7ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH TO263-3
Scheda dati

IPB65R190C7ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB65R190C7ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieCoolMOS? C7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 290µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1150pF @ 400V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 5.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB65R190C7ATMA1

IPB65R190C7ATMA1 Packaging

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IPB65R190C7ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB65R190C7ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the IPB65R190C7ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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Infineon Technologies AG

COOL MOS - Tape and Reel

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D# IPB65R190C7ATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2726048RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 650V, 13A, TO-263-3

RoHS: Compliant
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