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| Numero di parte | IPB65R280C6ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.368 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| Serie | CoolMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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SIT8208AC-3F-18E-16.000000T | SiTime, -20 TO 70C, 5032, 10PPM, 1.8V, 1, -, CoolMOS? | Visualizza |
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SIT8208AI-33-18S-18.432000T | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 50PPM, 1.8V, 1, -, CoolMOS? | Visualizza |
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CGA2B3X7R1H473M050BE | TDK Corporation, CAP CER 0.047UF 50V X7R 0402, 0402 (1005 Metric), CoolMOS? | Visualizza |
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B43564A6188M000 | EPCOS (TDK), CAP ALUM 1800UF 20% 500V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, CoolMOS? | Visualizza |
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8N4Q001FG-0020CDI | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC OSC CLOCK QD FREQ 10CLCC, 10-CLCC, CoolMOS? | Visualizza |
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RNC50H1260DSB14 | Vishay Dale, RES 126 OHM 1/10W .5% AXIAL, Axial, CoolMOS? | Visualizza |
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RG1608P-3571-W-T5 | Susumu, RES SMD 3.57K OHM 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), CoolMOS? | Visualizza |
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20021122-00046D1LF | Amphenol FCI, HD RA SMT, -, CoolMOS? | Visualizza |
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D38999/24WG35AA | Souriau, 8D 79C 79#22D PIN J/N, -, CoolMOS? | Visualizza |
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JCB30DYFN | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 60POS 0.050, -, CoolMOS? | Visualizza |
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HCC17DRTH-S93 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 34POS 0.100, -, CoolMOS? | Visualizza |
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EBC12DTBS | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.100, -, CoolMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB65R280C6ATMA1 D# IPB65R280C6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 700V 13.8A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB65R280C6ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB65R280C6ATMA1 D# 2156-IPB65R280C6ATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK |
12000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPB65R280C6ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB65R280 - 650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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12000 |
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