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IPB80N04S403ATMA1

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Numero di parte IPB80N04S403ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Scheda dati

IPB80N04S403ATMA1 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB80N04S403ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 53µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5260pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB80N04S403ATMA1

IPB80N04S403ATMA1 Packaging

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Packing
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IPB80N04S403ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N04S403ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB80N04S403ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB80N04S403ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB80N04S403ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB80N04S403ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB80N04S403ATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# V72:2272_06384178

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB80N04S403ATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# IPB80N04S403ATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

1916
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 2710000RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S4-03

D# 726-IPB80N04S4-03

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2

RoHS: Compliant
187
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 12AC9705

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:80A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.0032ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
929
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 32625503

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S4-03

Infineon Technologies AG

OptiMOS-T2 Power-Transistor

900
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N04S403ATMA1

D# 2710000

Infineon Technologies AG

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1440

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