Name: IPB80N06S207ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S207ATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (165 reviews)

IPB80N06S207ATMA1

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Numero di parte	IPB80N06S207ATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Scheda dati	IPB80N06S207ATMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB80N06S207ATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 68A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1 Packaging

IPB80N06S207ATMA1 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IPB80N06S207ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IPB80N06S207ATMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPB80N06S207ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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6. What is the process for return or replacement of IPB80N06S207ATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPB80N06S207ATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPB80N06S207ATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPB80N06S207ATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPB80N06S207ATMA1 pin diagram, IPB80N06S207ATMA1 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB80N06S207ATMA1

D# IPB80N06S207ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB80N06S207ATMA1)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB80N06S207ATMA1

D# 2156-IPB80N06S207ATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2

5900

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPB80N06S207ATMA1

Infineon Technologies AG

IPB80N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant

5900

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