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IPB80N06S2L11ATMA2

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IPB80N06S2L11ATMA2

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Numero di parte IPB80N06S2L11ATMA2
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Scheda dati

IPB80N06S2L11ATMA2 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IPB80N06S2L11ATMA2

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2075pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.7 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2 Packaging

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IPB80N06S2L11ATMA2 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPB80N06S2L11ATMA2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPB80N06S2L11ATMA2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPB80N06S2L11ATMA2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPB80N06S2L11ATMA2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPB80N06S2L11ATMA2 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPB80N06S2L11ATMA2 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPB80N06S2L11ATMA2?
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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D# IPB80N06S2L11ATMA2

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB80N06S2L11ATMA2)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N06S2L11ATMA2

D# SP001061398

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001061398)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-IPB80N06S2L11ATMA2-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2

65000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N06S2L11ATMA2

D# 726-IPB80N06S2L11ATM

Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFET_)40V 60V)

RoHS: Compliant
657
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPB80N06S2L11ATMA2

Infineon Technologies AG

IPB80N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET

RoHS: Compliant
65000

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