| Numero di parte | IPD034N06N3 G |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 446.256 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# V72:2272_06383382 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# IPD034N06N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD034N06N3GATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# SP000451070 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252 (Alt: SP000451070) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# C1S322000415238 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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24 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# IPD034N06N3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
19963 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# 2443392 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 60V, 100A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1971 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 60 V 3.4 mOhm 98 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3776 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3 G D# 726-IPD034N06N3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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8783 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# 85X6026 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1750 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# 8259168 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD034N06N3GATMA1, PK Min Qty: 10
Container: Package
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750 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1956 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# 36723087 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD034N06N3GATMA1 D# 2443392 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 60V, 100A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1750 |
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86-755-83210559-843
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