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| Numero di parte | IPD040N03LGATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 25.896 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | feb 12 - feb 17 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT1602BC-13-18E-35.840000D | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 50PPM, 1.8V, 3, -, OptiMOS? | Visualizza |
 
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TPS2052DR | Texas Instruments, IC DAUL POWER DIST SW 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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SN74ABT241APW | Texas Instruments, IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP, 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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5962-8770202RX | Analog Devices Inc., IC DAC 8BIT DUAL MULT 20CDIP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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SY89464UMG | Microchip Technology, IC CLK MULTIPLXR 2:10 2GHZ 44MLF, 44-VFQFN Exposed Pad, 44-MLF?, OptiMOS? | Visualizza |
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NHQMM202B410T5 | Amphenol Advanced Sensors, NTC THERMISTOR 2K OHM 5% 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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3003320 | Wurth Electronics Inc., TAPE COPPER 20MMX32.9M, -, OptiMOS? | Visualizza |
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OSTYK22219030 | On Shore Technology Inc., CONN BARRIER STRIP 19CIRC 0.25", -, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/24MC35AN | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT HSG MALE 22POS PNL MNT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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TV07DZ-17-6AD | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSG MALE 6POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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ECM22DSEI | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 44POS 0.156, -, OptiMOS? | Visualizza |
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1648586-1 | TE Connectivity AMP Connectors, 296-0067-01100, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# V72:2272_06384821 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# IPD040N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD040N03LGATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG | 2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# IPD040N03LGATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
1191 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# 2725844 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 90A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
180 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2900 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03L G D# 726-IPD040N03LG |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
72 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# XSKDRABV0059132 |
Infineon Technologies AG | 2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# 13AC9037 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 90A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:90A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0033ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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180 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD040N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
4006 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# 26195609 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD040N03LGATMA1 D# 2725844 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 90A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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180 |
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86-755-83210559-843
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