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| Numero di parte | IPD053N08N3GATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 21.852 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | dic 21 - dic 26 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
|
| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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AP7384-33Y-13 | Diodes Incorporated, LDO CMOS LOWCURR SOT89 T&R 2.5K, TO-243AA, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# V72:2272_06383627 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# IPD053N08N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD053N08N3GATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# SP001127818 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-252 (Alt: SP001127818) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# C1S322000088317 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 80V 90A(Tc) 3.5V @ 90uA 5.3mohms @ 90A,10V 150W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS |
73 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# IPD053N08N3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
4683 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# 1775574 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 90A, 80V, PG-TO252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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2729 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 80 V 5.3 mOhm 52 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
13614 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# 726-IPD053N08N3GA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET TRENCH 40<-<100V RoHS: Compliant
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14085 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# 60R2692 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 90A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:90A, On Resistance Rds(on):0.0044ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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3482 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD053N08N3GATMA1 D# 1702283 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3 + 2 Tab-Pin DPAK Infineon IPD053N08N3GATMA1, RL Min Qty: 2500
Container: Reel
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1240 |
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86-755-83210559-827
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