Name: IPD068N10N3GBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD068N10N3GBTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (154 reviews)

IPD068N10N3GBTMA1

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Numero di parte	IPD068N10N3GBTMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Scheda dati	IPD068N10N3GBTMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD068N10N3GBTMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4910pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1 Packaging

IPD068N10N3GBTMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD068N10N3GBTMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD068N10N3GBTMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD068N10N3GBTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPD068N10N3GBTMA1 pin diagram, IPD068N10N3GBTMA1 datasheet?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD068N10N3GBTMA1

D# IPD068N10N3GBTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

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