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IPD122N10N3GATMA1

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IPD122N10N3GATMA1

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Numero di parte IPD122N10N3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A
Scheda dati

IPD122N10N3GATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD122N10N3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.2 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Packaging

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IPD122N10N3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD122N10N3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD122N10N3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD122N10N3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD122N10N3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD122N10N3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD122N10N3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD122N10N3GATMA1?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# V72:2272_15966271

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 85X6027)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# SP001127828

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N 100V 59A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001127828)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

104
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# C1S322000300079

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1358
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# IPD122N10N3GATMA1TR-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

 6876
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 2443393RL

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100V, 59A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - DPAK

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 69600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Infineon Technologies AG

In Stock

 104
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IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM Immediate delivery

 88720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 726-IPD122N10N3GATMA

 Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH >=100V

RoHS: Compliant
 4030
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

D# 85X6027

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 59A, 175DEG C, 94W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:59A, On Resistance Rds(on):0.0105ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 614
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IPD122N10N3GATMA1

 Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

 88705
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IPD122N10N3GATMA1

D# 43704312

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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