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IPD170N04NGBTMA1

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Numero di parte IPD170N04NGBTMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Scheda dati

IPD170N04NGBTMA1 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD170N04NGBTMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD170N04NGBTMA1

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IPD170N04NGBTMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IPD170N04NGBTMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD170N04NGBTMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD170N04NGBTMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD170N04NGBTMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD170N04NGBTMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD170N04NGBTMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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