Name: IPD180N10N3GBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GBTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (79 reviews)

IPD180N10N3GBTMA1

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Numero di parte	IPD180N10N3GBTMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Scheda dati	IPD180N10N3GBTMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino	3.376 piece(s)
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Specifiche IPD180N10N3GBTMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	43A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 33A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1 Packaging

IPD180N10N3GBTMA1 FAQ

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3. Are the IPD180N10N3GBTMA1 price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of IPD180N10N3GBTMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IPD180N10N3GBTMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the IPD180N10N3GBTMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IPD180N10N3GBTMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as IPD180N10N3GBTMA1 pin diagram, IPD180N10N3GBTMA1 datasheet?

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD180N10N3GBTMA1

D# IPD180N10N3GBTMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD180N10N3GBTMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD180N10N3GBTMA1

D# IPD180N10N3GBTMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD180N10N3GBTMA1

D# 2617464

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 43A, TO-252-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 5

Container: Cut Tape

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Descrizione

Azione

IPD180N10N3GBTMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

706

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IPD180N10N3GBTMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

594

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Descrizione

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IPD180N10N3GBTMA1

D# 2617464

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 43A, TO-252-3

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

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