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| Numero di parte | IPD25N06S4L30ATMA2 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.704 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3-11 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# V36:1790_06391069 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# IPD25N06S4L-30ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD25N06S4L-30ATMA2) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# SP001028636 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001028636) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# IPD25N06S4L30ATMA2CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 |
159 |
IPD25N06S4L-30ATMA2 D# 2156-IPD25N06S4L-30ATMA2-ND |
Rochester Electronics LLC |
IPD25N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT |
195 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# 2803391 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 25A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11600 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# 726-IPD25N06S4L30ATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET MOSFET RoHS: Compliant
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7500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# 43AC3267 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 25A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:25A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L-30ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
IPD25N06 - 55V-60V N-Channel Automotive MOSFET RoHS: Compliant
|
195 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
61 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD25N06S4L30ATMA2 D# 2803391 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 25A, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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0 |
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86-755-83210559-843
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