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| Numero di parte | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 79.458 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | giu 18 - giu 23 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 29µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1976pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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SIT8209AI-3F-33S-161.132800Y | SiTime, -40 TO 85C, 5032, 10PPM, 3.3V, 1, -, OptiMOS? | Visualizza |
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SIT1602BC-33-XXS-33.330000T | SiTime, -20 TO 70C, 5032, 50PPM, 2.25V-3, -, OptiMOS? | Visualizza |
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BFC236622393 | Vishay BC Components, CAP FILM 0.039UF 5% 100VDC RAD, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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715P15354JD3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE), ORANGE DROP, Radial, OptiMOS? | Visualizza |
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UMK063CH680JT-F | Taiyo Yuden, CAP CER 68PF 50V CH 0201, 0201 (0603 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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TPS63051RMWT | Texas Instruments, IC REG BCK BST 3.3V 0.5A HOTROD, 12-VFQFN, OptiMOS? | Visualizza |
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LCW CQAR.EC-MRMS-5M6M-L1M1-700-R18-LM | OSRAM Opto Semiconductors Inc., LED OSLON SMD, 1212 (3030 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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GRSN-5021-1601 | CW Industries, SWITCH ROCKER SPST/SPDT 16A 125V, -, OptiMOS? | Visualizza |
 
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PVN012SPBF | Infineon Technologies, IC RELAY PHOTOVO 20V 2.5A 6-SMD, 6-SMD (0.300", 7.62mm), OptiMOS? | Visualizza |
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CRCW060310K5FKEA | Vishay Dale, RES SMD 10.5K OHM 1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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65863-867SLF | Amphenol FCI, QKE HDR, -, OptiMOS? | Visualizza |
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H/MS3108B22-22S-D-T(73) | Hirose Electric Co Ltd, CONN PLUG 4POS INLINE R/A SKT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# V72:2272_06390917 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# IPD30N10S3L34ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Tape and Reel (Alt: IPD30N10S3L34ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# SP000261248 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 (Alt: SP000261248) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 100V 30A(Tc) 2.4V @ 29uA 31mohms @ 30A,10V 57W(Tc) TO-252-2(DPAK) MOSFET RoHS |
40 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# IPD30N10S3L34ATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# 2432729RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 100 V 31 mOhm 31 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
37700 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# 79X1436 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252- 3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.0258ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# 7533018 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD30N10S3L34ATMA1, PK Min Qty: 10
Container: Package
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1062 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD30N10S3L34ATMA1 D# 2432729 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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86-755-83210559-817
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