Name: IPD33CN10NGBUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD33CN10NGBUMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (135 reviews)

IPD33CN10NGBUMA1

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Numero di parte	IPD33CN10NGBUMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Scheda dati	IPD33CN10NGBUMA1 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD33CN10NGBUMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 29µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1570pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 27A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD33CN10NGBUMA1

IPD33CN10NGBUMA1 Packaging

IPD33CN10NGBUMA1 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

IPD33CN10NGBUMA1

D# IPD33CN10NGBUMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

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