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| Numero di parte | IPD530N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 21A |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.744 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | feb 14 - feb 19 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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501HAM-ACAG | Silicon Labs, OSC PROG LVCMOS 1.7V-3.6V EN/DS, 4-SMD, No Lead, OptiMOS? | Visualizza |
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T541X336M050AH6710 | KEMET, CAP TANT POLY 33UF 50V 2917, 2917 (7343 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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OPK21427S | Dialight, LENS SUB-LENS OVAL 4DEG X 27DEG, -, OptiMOS? | Visualizza |
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TBPS0R103K410H5Q | Taiyo Yuden, NTC THERMISTOR 10K OHM 10% 0402, 0402 (1005 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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MSF4800A-14-0800 | Omron Automation and Safety, SAFETY LIGHT CURTAIN, -, OptiMOS? | Visualizza |
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HRG3216P-1822-D-T1 | Susumu, RES SMD 18.2K OHM 0.5% 1W 1206, 1206 (3216 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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RMCF0805FT768K | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 768K OHM 1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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SMH100-LPPE-D03-ST-BK | Sullins Connector Solutions, CONN HEADER 1MM 6POS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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0039296188 | Molex, LLC, CONN HEADER 18POS 4.2MM VERT GOL, -, OptiMOS? | Visualizza |
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HDWM-18-58-G-S-250-SM | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, OptiMOS? | Visualizza |
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19620005092 | HARTING, ACCES. SPECIAL CABLE CLAMP EMC M, -, OptiMOS? | Visualizza |
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D38999/20WF32AD | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT HSNG MALE 32POS PNL MT, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# V72:2272_13979485 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# 79X1437 |
Infineon Technologies AG |
MV POWER MOS - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1437) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# C1S322000253586 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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296 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# IPD530N15N3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 |
307 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# 2432730 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 150V, 21A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2956 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
STOCK, SAME DAY SHIPPING. ALL PARTS ARE NEW |
100 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 150 V 53 mOhm 12 nC OptiMOS™3 Power-Transistor - PG-TO252-3-11 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
26100 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# 726-IPD530N15N3GATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET TRENCH >=100V RoHS: Compliant
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16394 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# 79AH3154 |
Infineon Technologies AG |
TRENCH >=100V RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 21A I(D), 150V, 0.053OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252 |
49 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IPD530N15N3GATMA1 D# 43709671 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
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