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IPD60R1K4C6ATMA1

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IPD60R1K4C6ATMA1

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Numero di parte IPD60R1K4C6ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Scheda dati

IPD60R1K4C6ATMA1 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IPD60R1K4C6ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieCoolMOS? C6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds200pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO252-3
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IPD60R1K4C6ATMA1

IPD60R1K4C6ATMA1 Packaging

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IPD60R1K4C6ATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IPD60R1K4C6ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IPD60R1K4C6ATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IPD60R1K4C6ATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IPD60R1K4C6ATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IPD60R1K4C6ATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of IPD60R1K4C6ATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IPD60R1K4C6ATMA1?
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D# E02:0323_08891877

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD60R1K4C6ATMA1)

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 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001292870)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

 3479
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D# 2726051RL

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MOSFET, N-CH, 600V, 3.2A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 6867
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MOSFET LOW POWER_LEGACY

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 16350
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D# 13AC9044

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 600V, 3.2A, TO-252-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:3.2A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):1.26ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 3530
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MOSFET, N-CH, 600V, 3.2A, TO-252-3

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